工作职责
1、负责功率器件的结构设计、仿真、版图设计等;
2、确保产品在理论上符合设计指标,满足产品设计要求和市场需求;
3、针对产品的问题,进行技术攻关,持续提升产品的性能;
4、配合完成工艺研发和流片相关工作;
5、研发过程中,实验数据的统计分析整理相关技术文件,并及时归档;
6、完成上级领导交办的其他工作。
任职资格
1、半导体或微电子相关专业,985/211院校毕业,硕士学历及以上学历;
2、在功率器件领域设计岗位工作5年以上,从事SJ/IGBT/SiC研发设计至少3年;
3、熟练掌握半导体器件仿真软件的使用, 熟悉版图工具软件等;
4、工作严谨、思路清晰,有较好的管理能力、学习能力和团队协作能力;
年薪:30-60万
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1年以上
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博士及以上
工作地:上海市
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招3人
年薪:40-80万
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8-8年
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硕士及以上
工作地:上海市
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招1人
年薪:40-80万
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8年以上
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硕士及以上
工作地:西安市
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招1人
年薪:30-60万
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1年以上
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硕士及以上
工作地:西安市
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招1人