工作职责
1、根据行业标杆及应用分析,对所要开发的产品进行定义;
2、功率半导体器件设计及仿真,以确保产品在理论上符合设计指标;
3、与foundry厂家共同建立工艺流程,以确保产品参数、可靠性及工艺窗口达到设计指标;
4、配合应用、销售端进行产品的推广;
5、组织安排IGBT/SJ研发小组日常工作,确保组内研发项目按期完成。
任职资格
1、985/211院校毕业,硕士及以上学历,微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业,具有扎实的物理基础和半导体器件基础;
2、具有8年(含)以上功率器件研发经验,精通SJMOSFET等功率半导体器件的芯片结构设计、版图设计、器件仿真、流片工艺、测试应用等一系列开发流程;
3、具备功率半导体器件实际产品的开发/生产/应用经验和FAB流片经验,本人直接开发或负责开发的器件具有持续销售或应用的案例;
4、工作严谨、思路清晰,有较好的沟通能力、学习能力和团队管理能力。
年薪:30-60万
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1年以上
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博士及以上
工作地:上海市
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招3人
年薪:40-80万
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8-8年
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硕士及以上
工作地:上海市
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招1人
年薪:30-60万
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1年以上
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硕士及以上
工作地:西安市
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招1人
年薪:40-80万
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3年以上
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硕士及以上
工作地:上海市
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招4人