**岗位职责：

1.根据市场趋势，建立功率器件（超结MOS、IGBT、SiC MOS、GaN HEMT等）芯片设计发展规划图；（核心关注超结MOS、IGBT，有其中之一的能力即可）

2.制定芯片设计与开发项目的目标和规划，制定明确的项目进程表；

3.功率半导体器件设计及仿真，以确保产品符合DFM设计规范；

4.与Foundry厂家共同建立工艺流程，以确保产品参数、可靠性及工艺窗口达到设计指标；

5.根据需求进行产品变更与维护，实验数据的统计分析 ；

6.负责推进研发项目进展，确保项目按计划达成量产目标；

7.负责研发文件体系、规则与流程的建立和管理。

＞＞＞以下は日本語：

1.市場動向に基づいて、パワーデバイス（スーパージャンクションMOSFET、IGBT、SiC-MOS、GaN HEMT、IGBTモジュールなど）のチップ設計の開発計画図を作成する。
2.チップ設計および開発プロジェクトの目標と計画を策定し、明確なプロジェクト進捗表を作成する。
3.パワー半導体デバイスの設計およびシミュレーションを行い、製品が理論上の設計基準に準拠していることを確認する。
4.Foundryメーカーと協力してプロセスフローを確立し、製品パラメータ、信頼性、およびプロセスウィンドウが設計基準に達することを保証する。
5.要件に基づいて製品変更およびメンテナンスを行い、実験データの統計分析を行う。
6.研究開発プロジェクトの進捗を推進し、プロジェクトが計画通りに量産目標を達成することを確認する。
7.研究開発文書体系、規則、および手順の構築と管理を担当する。

**任职资格：

1.硕士及以上学历，微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业，具有扎实的物理基础和半导体器件基础；

2.具有10年（含）以上功率器件研发经验，精通各类MOSFET尤其是SJ MOSFET及IGBT等功率半导体器件的芯片结构设计、版图设计、器件仿真、流片工艺、测试应用等一系列开发流程；

3.尤其需要有Multi-EPI 12层（或9层EPI以上）工艺/器件开发，IGBT第7代工艺器件开发经验者优先。4.具备功率半导体器件实际产品的开发/生产/应用经验和FAB流片经验，本人直接开发或负责开发的器件具有持续销售或应用的案例；

5.工作严谨、思路清晰，有较好的沟通能力、学习能力和团队管理能力。